局部表面等离子体激元改善了氮化硅发光器件的电致发光

观察到具有ITO / SiO2 / SiNx / Ag / p / p(+)-Si / Al结构的SiNx发光器件(LED)的增强电致发光(EL)。 与没有Ag岛层的SiNx LED相比,具有Ag岛层的SiNx LED可以传导更高的注入电流,并且由于Ag岛膜的粗糙度,可以更有效地提取光。 此外,由银岛引起的局部表面等离子体激元提高了LED的辐射效率,从而导致了类似于14的EL增强。通过组合提高光提取效率,辐射效率和电流注入效率,可以提高LED的外部量子效率。 SiNx LED的EL至少提高了一个数量级。