通过电化学刻蚀提高GaN的光催化活性

系统研究了用电化学刻蚀法制备的纳米多Kong(GaN)GaN薄膜作为光催化剂在染料光降解中的应用。 NP GaN薄膜与GaN薄膜的比较表明,具有高的表面体积比的NP GaN薄膜具有更好的光催化活性。 与多Kong硅晶片相比,具有较低表面积和较小Kong体积的NP GaN薄膜具有更好的光催化活性,因为GaN不仅像Si一样对染料还原有效,而且对染料氧化也有效。 此外,由于其具有类似陶瓷的化学惰性,在碱性条件下,NP GaN对光降解有机染料的稳定性比多Kong硅更好。 GaN的带隙可以在可见光范围内进行调制,因此这些行为对于具有集中太阳光的光降解系统将是有益的。