GaSb和GaInSb晶体制备工艺研究进展

介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)法,总结了它们的优缺点。研究结果表明,VB法、VDS法和VGF法更适合GaSb单晶的生长。进一步介绍了三元合金GaInSb晶体生长工艺的研究进展,微重力环境可以有效抑制晶体中In元素的成分偏析,提高晶体的均匀性。简单介绍了GaSb单晶材料在器件制作方面的应用,展望了GaInSb晶体材料的发展前景。