具有纳米厚度的MoO3中间层的ZnO基发光器件的启动电压低于3 V的电泵浦随机激射

先前我们已经报道过具有以Au / SiO2 / ZnO形式存在的具有金属绝缘体半导体(MIS)结构的ZnO基发光器件的起始电压至少为3.3 V的电泵浦随机激射(RL)。 在此,通过在上述MIS结构的器件中的SiO 2和ZnO膜之间插入类似于5nm厚的MoO 3层,RL起始电压减小到仅类似于2.6V,此外,输出光功率倍增。 这种提高的RL性能归因于通过MoO3中间层增强了向ZnO中的空穴注入,该中间层的特征在于低导电带,因此具有较大的功函。