采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器

Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器,它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长而成。光响应波长为200~365 nm,在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。随后,由于51材料成熟的工艺技术且易于集成等优点,人们试图将GaN材料生长在Si衬底上以利于和电子器件的集成。Stevens等人12.刨在51衬底上生长P型GaN薄膜,但光响应度较低,在14V偏压下响应度只有30 A/W。由于Si和GaN之间大的晶格失配(17%)和热失配(20%),若直接在51衬底上生长GaN则会由于晶格失配位错等原因严重影响器件性能。