ZnO / CdS核/壳纳米线阵列的发光起源

ZnO / CdS纳米复合材料的化学成像,电子结构和光学性质已通过扫描透射X射线显微镜(STXM),X射线吸收近边缘结构(XANES)和X射线激发光致发光(XEOL)进行了研究光谱学。 STXM和XANES结果证实所制备的产品是ZnO / CdS核/壳纳米线(NWs),并且进一步表明ZnS在ZnO NWs的表面上形成,作为ZnO与CdS之间的界面。 ZnO / CdS NW阵列的XEOL在375 nm处显示一种弱紫外线(UV)发射,在512 nm处显示一种强绿色发射,在750和900 nm处显示两种宽红外(IR)发射。 结合XANES和XEOL可以得出结论,紫外发光是ZnO的近带隙发射(BGE)。 绿色发光来自CdS的BGE和ZnO的缺陷发射(DE,锌空位)。 IR发光归因于CdS的DE(与S位点有关的大量缺陷); ZnS对ZnO / CdS NW阵列的发光几乎没有贡献。 有趣的是,ZnO / CdS纳米复合材料中ZnO的氧空位的BGE和DE几乎被完全淬灭,而锌空位的DE几乎没有变化。