温度对基于金辅助金属氧化物化学汽相沉积生长的GaAs纳米线影响

利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度(500 °C,530 °C,560°C)对纳米线形貌及晶体质量的影响。在较低生长温度时,纳米线生长速率与纳米线直径无关,且纳米线上下直径分布均匀。随着温度的增高,纳米线成明显的圆锥状。当温度升高时,相对较粗的纳米线,长度缩短,这是因为在高温时VLS生长被抑制;对于相对较细的纳米线,长度是先减少后增大,这是由于在温度升高时Ga原子的扩散作用增大。温度的升高还导致了纳米线晶体质量的下降。低温时只有少量缺陷在相对较细的纳米线中出现;对于相对较粗的纳米线,其晶体结构为纯的闪锌矿结构。温度增高导致了Au-Ga合金纳米颗粒的不稳定,从而造成了缺陷的增加。