模拟氧化铜生长过程中800 1100 K时红铜T2的正常光谱发射率

本文努力模拟氧化物生长过程中红铜T2的正常光谱发射率 层 在 800 -- 1100 K. 因此,正常光谱 发射率 的 红色的 铜 T2 标本 是 被评估 在 这 十六 定 温度 期间 一种 加热时间为6小时。 在实验中,使用InGaAs光电二极管检测器在1.5的条件下测量正常辐射 垂直于 这 标本表面尽可能准确。 通过平均两个铂铑热电偶获得样品表面的温度,这两个铂铑热电偶对称且紧密地焊接在检测器所观察到的测量区域附近的样品前表面中。 正常光谱发射率的强烈振荡仅发生在最初的加热期间 每个 定 温度, 哪个 已 是 肯定的 到 是 连接的 和 这 厚度 的 氧化物 层 在 这 样品 表面。 讨论了试样表面氧化层发出的辐射与基片发出的辐射之间的干涉效应,这是引起正常光谱发射率强烈振荡的原因。 仅由表面氧化作用引起的正常光谱发射率的不确定度估计为3.3 -- 10.0%,相应的温度不确定性估计为 3.2 -- 10.0 K.之间的分析模型 正常的光谱发射率和 加热 时间 是 被评估 在 细节。 一种 简单的 功能性 形式 和 指数函数和对数函数 已 是 成立 到 复制 出色地 这 变化 的