建模天线耦合石墨烯场效应太赫兹检测器

理论上,通过考虑电荷载流子和太赫兹场的空间分布,在天线耦合石墨烯场效应太赫兹(GFET)检测器中研究了双极性载流子对太赫兹自混的影响。该模型预测,电荷和场分布可以通过栅极电压进行调整,以使它们彼此匹配并增强光电流。这样的合作性自混合不会在单极中发生FET检测器。具有适度载流子迁移率的GFET检测器在室温下可提供几A / W的电流响应和低于50 pW / Hz ^ 0.5的噪声等效功率。