GaN在无掩模化学刻蚀蓝宝石衬底上生长的最新进展 上传者：coowenzj 2021-04-06 07:49:55上传 PDF文件 259.27KB 热度 53次 本文展示了一种使用化学刻槽蓝宝石衬底的新型GaN横向外延过生长(LEO)技术。 讨论了衬底的制备,选择性生长机理和位错减少机理。 通过应用该技术,可以实现无翼倾斜的GaN LEO膜的质量提高和GaN LED的增强。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
