GaN在无掩模化学刻蚀蓝宝石衬底上生长的最新进展 上传者：coowenzj 2021-04-06 07:49:55上传 PDF文件 259.27KB 热度 15次 本文展示了一种使用化学刻槽蓝宝石衬底的新型GaN横向外延过生长(LEO)技术。 讨论了衬底的制备,选择性生长机理和位错减少机理。 通过应用该技术,可以实现无翼倾斜的GaN LEO膜的质量提高和GaN LED的增强。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 coowenzj 资源：434 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
