掩埋横结型多重量子阱半导体激光器

日本工业技术光电子技术综合研究所与三菱化成公司合作,研制成杂散电容低达0.04 pF掩埋横结型多重量子阱半导体激光器(TJ-BH-MQW-LD)。采用横结型结构能将场效应晶体管等集成在同一芯片上,低杂散电容可导致高速工作,同一芯片兼有发光和受光两种功能。预计可用于具有超高速多重信号的解调、放大、运算等功能的光电子集成电路中。