N2等离子体预处理对Al2O3 / AlGaN / GaN MISHEMT性能的改善

本文讨论了介电沉积之前进行N-2等离子体处理对通过原子层沉积沉积Al2O3的Al2O3 / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)的电性能的影响。 结果表明,采用N-2等离子体对Al2O3 / AlGaN界面进行预处理后,栅漏电流降低了两个数量级。 此外,通过X射线光电子能谱测量研究了N-2等离子体预处理对AlGaN / Al2O3界面电性能的影响,改善了Al2O3与AlGaN膜之间的界面质量。