用统计方法研究双极Cu / HfO2 / Pt RRAM器件的RESET开关机制

研究了双极性Cu / HfO2 / Pt电阻随机存取存储器(RRAM)的RESET开关。 利用统计方法,我们系统地分析了RESET电压(V-RESET)和RESET电流(I-RESET)。 根据原始实验数据的散点图,V-RESET根据R-ON显示U形分布。 通过串联电阻(RS)进行数据校正后,V-RESET几乎恒定,而I-RESET随R-CF线性降低。 这些行为与RESET的热溶解模型一致。 此外,I-RESET和V-RESET分布受R-ON分布的强烈影响。 使用“电阻屏蔽”方法,发现I-RESET和V-RESET分布与Weibull分布模型兼容。 根据我们基于单元的单极RESET模型,V-RESET和I-RESET分布的Weibull斜率与R-CF无关,这表明RESET点对应于导电丝(CF)溶解的初始阶段。 RRAM设备。 V-RESET分布的比例因子大致恒定,而I-RESET分布的比例因子以1 / R-CF缩放。 因此,基于HfO2的固体电解质存储器的RESET开关与热溶解机制兼容,从而提高了我们对RRAM器件的电阻开关物理学的理解。