光伏异质结电池报告:HJT

异质结电池在 1997 年实现量产:20 世纪 80-90 年代,日本 Sanyo(目前已被松下收购)首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结光伏电池,在 P 型非晶硅和 N 型单晶硅的 p-n 异质结之间插入一层本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H),有效降低了晶硅/非晶硅异质结表面的复合速率,同时补偿了本征非晶硅层自身存在的悬挂键缺陷,在硅片表面获得了令人满意的钝化效果,以这一结构为基础的光伏电池随后在 1997 年实现量产,即光伏异质结(HIT/HJT)电池。HJT 异质结电池的基本结构:HJT 异质结电池以 N 型单晶硅片为衬底,在经过清洗制绒的 N 型硅片正面依次沉积厚度为 5-10