H嵌入在SiC(0001)衬底上制备准自立式双层石墨烯及其电传输性能

我们研究了准氢站立式双层石墨烯在4H-SiC(0001)衬底上的温度依赖性电传输性能。 制备了三组单晶外延石墨烯和相应的准无晶体双层石墨烯,它们具有不同的晶体质量和层数均匀性。 拉曼光谱和原子力显微镜用于获得其形态和层数,并验证缓冲层向石墨烯的完全平移。 准无固定石墨烯的最高室温迁移率达到3700 cm(2)/ Vs。 散射机理分析表明,较差的晶体质量和层数不均一性会导致SiC衬底与石墨烯层之间的相互作用更强,杂质更多,这限制了准无固定双层石墨烯样品的载流子迁移率。 (C)2014 AIP Publishing LLC。