用于半导体器件失效缺陷检测和分析

摘要:光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用。 关键词:PEM;微分析;失效 1PEM的基本原理 半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。而光发射显微技术(PEM)作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术,能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位,