通过掺杂工程实现具有混合空穴传输层的高性能量子点发光二极管

在这里,我们报告了杂化空穴传输材料4,4'-双-(咔唑-9-基)联苯(CBP)或掺杂到聚(4-丁基-苯基二苯胺)中的聚N-乙烯基咔唑(PVK)( Poly-TPD)作为混合空穴传输层(HTL),以调整空穴注入层(HIL)和量子点(QD)发光层之间的能带对准,从而在所有情况下实现高效的量子点发光二极管(QLED)固溶加工的制造。 与原始的基于Poly-TPD的器件相比,发现通过将CBP添加到Poly-TPD中,可将QLED的电致发光(EL)性能显着提高1.5倍,这可归因于较低的最高占据分子轨道Poly-TPD(HOMO)级别,以减少HTL和QD价带(VB)之间的能垒。 因此,在将小分子以最佳比例(Poly-TPD:CBP = 2:1重量比)掺杂到聚合物中之后,可以平衡空穴传输速率,从而促进载流子从HTL注入QD并提高QLED的效率。 结果,基于所采用的混合HTL的各种QLED,可以获得7600cd / m 2,5.41cd / A和4.25lm / W的最大亮度,最大电流效率和最大功率效率。