分子束外延生长的InAs / GaSb II型超晶格的界面层控制和优化

我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同,常规分子束外延(MBE)和迁移增强外延(MEE)的用于界面层的样品,并比较了它们的结构,形态和光学性质。 MEE样品在InSb界面层中具有显着更高的As组成和更高的发光效率。 然后制备具有不同InSb界面层厚度的样品。 通过改变界面层的厚度,可以有效地调整晶格失配和光致发光峰值波长。 尽管生长样品的X射线衍射卫星峰线宽和表面粗糙度变化不大,但负晶格失配最小的样品显示出最高的发光效率。 最终,PIN超晶格检测器结构在受控界面的作用下生长。 吸收层的一阶X射线衍射卫星峰的半峰全宽(FWHM)只有19英寸。 检测器结构在77 K时的截止波长为6.3μm。在-50 mV偏置下的暗电流密度为4.3 x 10 A / cm(2),峰值检测率为4.2 x 10(11)cm Hz(1 / 2)/瓦。