电子化学气体行业专题报告

在电子级硅的制备工艺中,涉及到的电子气体包括SiHCl3、SiCl4等。在硅片表面通过化学气相沉积成膜(CVD)工艺中,主要涉及SiH4、SiCl4、WF6等。在晶圆制程中部分工艺涉及气体刻蚀工艺的应用,也称干法刻蚀,涉及到的电子气体包括CF4、NF3、HBr等,此类刻蚀气体用量相对较少,刻蚀过程中需与相关惰性气体Ar、N2 等共同作用实现刻蚀程度的均匀。掺杂工艺是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以改变半导体电学性质,涉及到的电子气体包括B2H6、BF3等三价气体和PH3、AsH3等五价气体。 在薄膜工序中, 通过化学气相沉积在玻璃基板上沉积SiO2、SiNx等薄膜,使用的特种气体有Si