基于太赫兹范围内的GaAs 金属超材料的共振转换

本文通过利用砷化镓(GaAs)中光注入的可变电导率,设计了一种不对称平面太赫兹(THz)超材料,该材料通过GaAs条带与两个单间隙裂环谐振器(SRR)连接,并且证明了在适当的光泵浦下SRR在THz范围内的共振转换。作为结构的中心纵臂,GaAs巧妙地插入了THz超材料的两个横臂之间,并在共振转换中起关键作用。通过调节其电导率(sigma(GaAs)),GaAs的可变电导率可以使一个双间隙SRR在物理结构中变成两个连接性单间隙SRR,同时,在THz中两个不同谐振的状态转换超材料已经实现。仿真结果表明,随着σ(GaAs)的增加,太赫兹超材料的共振状态可以从一个LC和一个偶极(状态1)切换到两个LC和一个新偶极(状态2)。这种结构设计提供了一个新的示例,可以应用可变电导率来实现谐振的状态转换,并且可以扩展到THz器件中的其他应用。