调制p掺杂1310 nm InAs / GaAs量子点激光材料和超短腔法布里 珀罗和分布反馈激光二极管的开发

刻蚀多层InAs / GaAs量子点(QD)激光结构以去除p侧AlGaAs覆层,以研究随温度变化的光致发光(PL)特性。 通过分子束外延(MBE)和生长后退火Craft.io制备了四个QD样品,包括未掺杂的生长QD,p掺杂的生长QD,未掺杂的退火QD和p掺杂的退火QD,以进行比较。 其中,与未掺杂样品相比,调制p掺杂QD样品显示的PL光谱的温度依赖性小得多,并且对混合的不敏感性显着。 这归因于调制p掺杂的影响,它可以抑制空穴在紧密间隔的能级上的热加宽,并显着抑制QD及其周围矩阵之间的In / Ga互扩散。 这些结果为选择高质量QD激光二极管的有源区域和包层提供了更大的自由度。 调制p掺杂QD材料的优越特性已经自然地转移到了激光设备上。 连续波基态(GS)激光已经在p掺杂QD法布里-珀罗(F-P)和横向耦合分布反馈(LC-DFB)窄脊激光器中实现了,它们具有非常短的腔长且没有多面涂层,其中在腔长为400μm的F–P激光器中发现了1315 nm GS激光,而单纵模激光的可调谐范围为140 nm,侧模抑制比为51 dB。 LC-DFB激光器。 这项工作展示了InAs / GaAs QD激光器