硫化和SnS / a Si异质结太阳能电池制备SnS薄膜

通过对溅射的Sn前驱体层进行硫化,成功地在玻璃上制备了SnS薄膜。 所制备的SnS膜的X射线衍射峰与正交性SnS的X射线衍射峰非常匹配。 SnS膜的表面致密,Sn∶S的组成元素比为0.91∶1。 SnS膜在可见光区域的吸光系数高于104cm-1,光学带隙能量估计约为1.35 eV。 最后,制备了新型的SnS /α-Si异质结太阳能电池。 该结表现出典型的整流二极管特性,该结的估计二极管系数为2.34。 在光照下,该异质结太阳能电池的开路电压和短路电流密度分别为289 mV和1.55 mA / cm2。