探讨铁电存贮器FRAM技术原理与应用

1 引言 美国Ramtron公司铁电存贮器(FRAM)的技术是铁电晶体材料.这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存取记忆体(RAM) 和非易失性存贮产品的特性。 铁电晶体材料的工作原理是:当我们把电场加载到铁电晶体材料上时,晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个记忆逻辑中的0,另一个记亿1。该中心原子能在常温且没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。因此,铁电记忆体不需要定时刷新便能在断电情况下保存数据。 由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞,因而铁电记忆体(FRAM)拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性。