薄膜后栅型SnO

利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明,一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀,电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小,随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明,在栅压和阳压分别为140 V和2000 V,阴极和阳极的距离为1100 μm时,薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮,其器件的最大阳极电流为232 μA,峰值亮度为270 cd/m2,稳定发射400 min,发射电流无明显衰减,表明器件场发射性能良好,具有潜在的应用前景。