高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征 上传者：xxoonijiejie 2021-03-15 17:12:11上传 PDF文件 266.78KB 热度 12次 利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(~5×1010cm-2)的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光谱线宽为24 meV.研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性. 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 xxoonijiejie 资源：426 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
