Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的输出电容(Coss)。儒卓力上供应这款MOSFET器件。 SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON)),可以限度地降低传导损耗。此外,该器件具有680pF的低输出电容(Coss)和28.7nC的优化栅极电荷(Qg),减少了与开关相关的功率损耗。 与采用6x5mm封装的相似解决方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷电路板