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用环形连续氩激光束在无定形衬底上实现硅的再结晶

上传者: 2021-03-02 16:25:32上传 PDF文件 1.88MB 热度 9次
改变连续氩激光束的模式,在SiO2上生成了大于600微米长的连续单晶硅膜,一种是由大块的硅籽晶横向外延生长的,一种没有横向外延。为了抑制在熔化区两边产生竞争成核,采用环形光束代替通常的高斯分布。控制激光斑的热分布。结果表明,液-固交界面处的线轮廓是硅的再生长机理中最主要的限制参数。
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