分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

报道了分子束外延生长Hg0.68Cd0.32Te材料的光致发光测量结果。 研究了原生样品和退火处理样品、 以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。 对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近; 其半峰宽和带尾能量较小, 显示了较高的薄膜质量。 样品经过退火后带尾能量降低, 双晶衍射的半峰宽也有明显的变窄。