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以高功函数CuS改性ITO为阳极的聚合物太阳能电池的性能增强

上传者: 2021-02-26 02:39:33上传 PDF文件 1.62MB 热度 15次
在本文中,将高功函数CuS薄层引入阳极和空穴传输层(HTL)之间的界面,以改性铟锡氧化物(ITO)阳极。 改性的ITO基底具有较高的功函,较低的薄层电阻和可忽略的透明性损失。 更重要的是,薄薄的CuS层也可以有利于器件的空穴传输。 与具有普通ITO阳极的设备相比,利用改良的ITO阳极的聚合物太阳能电池(PSC)在功率转换效率(PCE)和空气稳定性方面具有显着提高。 这种阳极改性策略适用于不同的活性层系统。 具有聚(3-己基噻吩)(P3HT)和[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)作为活性层的阳极改性器件的PCE为3.5%,而聚(4,8-双(5-(2-乙基-己基)-噻吩-2-基)-苯
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