利用电流重用技术设计3.1 10.6GHz超宽带CMOS低噪声放大器

本文介绍了一种采用特许0.18 m RFCMOS技术设计的新型低复杂度超宽带3.1–10.6 GHz低噪声放大器(LNA)。 超宽带LNA仅由两个连接了级间电感器的简单放大器组成。 利用电阻电流重用和双重电感退化技术的第一阶段用于获得宽带输入匹配和低噪声。 带有电感峰值技术的通用源放大器作为第二级放大器,可实现高平坦增益,并同时扩大整个放大器的-3 dB带宽。 实施的超宽带LNA的最大功率增益为15.6 dB,反向隔离度为-45 dB,在3.1–频率范围内,良好的输入/输出回波损耗优于-10 dB。 10.6 GHz。 在1.5 V的电源电压下,在要求的频带中获得了2.8–4.7 dB的出色噪声系数(NF),功耗为14.1 mW 。输入参考的三阶交调点(IIP3)在6 GHz时为−7.1 dBm。包括测试焊盘在内的芯片面积仅为0.8 mm×0.9 mm。