激光直写邻近效应的校正

邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素, 它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。 分析了激光直写邻近效应产生的原因, 指出它和电子束直写及投影光刻的区别, 提出了一种简便有效的邻近校正方法。 实验表明, 通过光学邻近校正(OPC), 利用微米级激光直写系统, 制作出了0.6 μm的实用光刻线条。