Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内水平,该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术,涵盖需要高压输入到低压输出的各种电子系统。随着SiHH068N60E的