低功率双稳态 上传者：余为安 2021-02-25 05:55:29上传 PDF文件 658.43KB 热度 29次 美国麻省瓦尔珊的GTE实验室的研究人员,用直接带隙的硫化镉半导体器件,以异常低的功率要求,演示了光学双稳定性。初步测量表明运转功率小于1毫瓦,很低的饱和强度(300瓦/厘米2),和根据已知的激子弛豫时间预期开关恢复时间为500微微秒。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
