超陷光黑硅结构研究

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计。将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计。考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析。发现,圆锥阵列超陷光结构的周期为135 nm,高度为480 nm时,在0°~60°入射角范围内,对波长为300~1200 nm的入射光的反射率都小于5%。