带有AO和GaAs饱和吸收体的二极管泵浦双Q开关锁模YVO4 / Nd:YVO4激光器

通过同时使用声光(AO)调制器和GaAs饱和吸收器,给出了二极管泵浦双Q开关和锁模(QML)YVO(4)/ Nd YVO(4)激光器的平均输出功率和脉冲宽度测量了Q开关包络线的Q值。双QML激光器的Q开关脉冲能量高于仅使用GaAs的情况。与仅使用GaAs相比,具有双损耗调制的QML激光器的稳定性得到了显着改善。实验结果表明,双QML YVO(4)/ Nd YVO(4)激光器具有近80%的调制深度,并且比单个无源QML脉冲的调制深度更深。Q开关包络内的双Q开关锁模脉冲具有通过使用双曲正割平方函数并考虑腔内光子密度的高斯分布,得出二极管泵浦双损耗调制QML激光器的耦合方程,其重复频率为111 MH