激光烧蚀硅所生成的等离子体发射光谱特性

报道由Q开关Nd:YAG激光器产生的1.06 μm、10 ns的脉冲激光辐射大气中的硅靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在硅靶表面的功率密度为9.3×10 9 W/cm2时, 测定了等离子体在200~800 nm波长范围内的时间分辨发射光谱。估计了等离子体点燃的时间, 测定了等离子体中硅原子的推进速度, 讨论了等离子体中N+离子产生的原因。通过测量等离子体辐射谱线的半高宽随延迟时间的变化.得到等离子体中电子密度随时间的延迟近似地以eexp(-t1/2)的关系衰减。