化合物半导体材料的激光消融微区质谱特性的实验研究

采用一台Q开关Nd:YAG脉冲激光器的四倍频输出(266 nm)作为消融激光,用反射型飞行时间质谱仪分析探测由激光与靶相互作用产生的离子,从得到的质量谱研究激光与半导体材料的相互作用。报告了这种相互作用的阈值特性、离子产额、质量分辨率等与激光通量密度的关系,给出了典型AlGaAs和InP材料的激光消融微区质谱。InP的离子质谱表明非金属元素磷的二聚物离子P2的离子峰总是占优势的。