激光诱导气相热化学光刻的阈值及速率变化特性 上传者：骨_头 2021-02-24 03:29:33上传 PDF文件 1.87MB 热度 38次 采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
