光电晶体管

基区-集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管,结构如图1所示[40]。 图1 一种纂于SBC工艺的光电晶体管 简单地说,双极工艺制作的光电晶体管利用基区-集电区pn结作为一个光吸收的耗尽层,并且将其光生电流放大。在标准埋层集电极(SBC)双极工艺中光电二极管的P区和NPN晶体管的P型基区是同一个P型区,而光电二极管的阴极和NPN晶体管的集电极都是由同一个N+注入区构成,基极接触可以被省略。在基区-集电区pn结空间电荷区产生的电子-空穴对被加在结上的电场分开。在空间电荷区电场的作用下,空穴向基区漂移,而电子向集电区漂移。在基区积累的空穴使得基区处于高电势