直接测量磁场对三(8 羟基喹啉) 铝发光二极管中载流子迁移率和复合的影响

磁场对载流子迁移率和基于三(8-羟基喹啉)铝(Alq(3))的发光二极管复合的影响已通过瞬态电致发光方法进行了测量。 可以确认,磁场对Alq(3)层中的电子和空穴迁移率没有影响,并且可以降低电子-空穴复合系数。 结果表明,在基于Alq(3)的发光二极管中,磁场效应的主要机制是当驱动电压大于发光二极管的起始电压时,单重eh对和三重eh对之间的相互转换,该互变是由磁场调制的。电致发光。