一种1~3 GHz无电感型宽带低噪声放大器设计

随着卫星通信、调频技术等相关技术的发展,对射频前端特别是低噪声放大器的工作频带提出了更高的要求,传统的窄带低噪声放大器越来越受到限制。低噪声放大器位于射频的前端,根据通道噪声系数的理论,低噪声放大器的增益和噪声系数对整个射频通道的噪声系数起着及其重要的作用。基于CMOS 工艺的低噪声放大器经过多年的发展,其噪声系数及增益都已经达到了很高的水平,但是其大多需要采用无源电感器件来实现。众所周知,基于CMOS 工艺的电感不仅占用较大的芯片面积,而且其品质因数性能也通常不会超过10。同时在一些大规模应用的场合,在管芯的键合、封装时由于键合线的长度不可控、寄生电容不同等原因,传统的片外匹配电路通常会发生