常通型器件量子阱结构设计

对于常通型器件,要获得高态反射率大于50%,低态反射率接近为零的器件,量子阱数目需75~100对,为了减 小工作电压,对应较少的量子阱数目,在器件顶部增加DBR可增大器件顶部反射率,2对λ/4光学厚度的A10.1 GaO.9As/AlAs的DBR即可使顶部反射率达到0.5。这样,量子阱数目可取为50,图1和图2分别是常通型器件量子阱 结构和计算的反射谱。 从图2可以看到,虽然830~870 nm波段处于DBR高反射区内,但其反射率却不是对DBR进行单独计算时的反射谱 线,而是出现了一个很深的凹谷,这是由激子吸收和腔模式共同作用造成的。在谐振波长处量子阱吸收区存在较 高的激子吸收,而非对