负电子亲和性GaAs与GaN光电阴极之间的光发射行为比较

鉴于GaAs和GaN光电阴极在电子源中的重要应用,光电子的差异III {V的两种典型类型之间的任务行为,即激活过程和量子产率衰减已经使用多信息测量系统研究了复合光电阴极。 激活专家元素显示,通过必要的控制,可以实现GaAs光电阴极的表面负电子亲和态Cs {O两步激活,仅通过GaN阴极的Cs激活即可。 另外,量子产率下降实验表明,在可拆卸的真空环境中,GaN光电阴极具有更好的稳定性和更长的使用寿命系统比GaAs光电阴极要好。 结果表明,GaN光电阴极更适合用于与GaAs光电阴极相比,电子源发射器的使用。