两段式半导体激光器的双稳条件

对Kuznetsov采用的速率方程加以修正,考虑了俄歇效应的影响,载流子寿命不再作为常数处理,而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式半导体激光器存在双稳的必要条件,计算结果表明,吸收区偏置电流对双稳条件影响极大,对具体器件而言,若增益区和吸收区隔离电阻不够大,几个mA的偏置电流泄露到吸收区就使器件难以产生双稳。