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g LiAlO

上传者: 2021-02-23 13:56:09上传 PDF文件 506.3KB 热度 6次
g-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合g-LiAlO2的基本性质,详细介绍了g- LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
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