衬底温度对纳米晶碳化硅膜微结构和光致发光性能的影响

纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜已经通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术在硅(1 0 0)衬底上生长,并且通过改变衬底温度(Ts)将薄膜的光致发光从黄色调至蓝色。 )。 所得的nc-SiC薄膜显示出嵌入氢化非晶SiC基质中的3C–SiC纳米微晶的微观结构。 对红外吸收的详细分析表明,薄膜的结晶度随Ts的增加而增加,而薄膜中氢相关键的含量则降低。 发现nc-SiC膜的光致发光光谱由两个高斯分量组成。 随着Ts的增加,具有较高能量的组分呈现出增长的趋势,并且相应的峰移至高能量侧,表明膜中的主要发光机理从与缺陷相关的载流子复合转变为量子限制效应。