450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化 上传者：一木扶苏 2021-02-21 08:46:05上传 PDF文件 2.88MB 热度 43次 分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
