GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器: 1. 设计

从理论上重点分析和研究了器件行波电极的微波特性,在半绝缘GaAs衬底上设计了具有n+重掺杂外延层和共平面电极的GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器。针对实验中发现的行波电极上微波的高传输损耗问题,分析了起因并提出了器件的改进设计方案,从而设计出可达到35 GHz带宽的高速调制效应的光波导调制器。