掺铈铝酸钇闪烁晶体自吸收问题研究

研究了掺铈铝酸钇(Ce:YAP)晶体的自吸收机理以提高其光产额等闪烁性能。用提拉法生长了不同掺杂摩尔分数的Ce:YAP闪烁晶体。室温下测试了不同厚度、不同摩尔分数和不同退火条件下Ce:YAP晶体的透过、荧光、X射线激发发射等光谱特征,并对可能存在的自吸收机理进行了分析。结果表明,Ce:YAP晶体的自吸收主要由Ce4+离子与氧离子配体之间的电荷转移吸收引起,根据电荷转移吸收理论可得其吸收峰在303 nm左右,与实验结果基本一致。本实验表明通过一定的退火工艺和掺杂控制减少Ce4+离子,将能有效地使样品的吸收边蓝移,从而减少Ce:YAP晶体的自吸收,提高闪烁性能。