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晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用

上传者: 2021-02-20 01:22:22上传 PDF文件 1.81MB 热度 8次
(AlaGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底.LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率.本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述.
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